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必了解的开关电源之元器件选择（二）
接着上面的正式来怎样选择开关电源的元器件吧。
开关电源之肖特基二极管的选择
在输出低压低的变换器中肖特基作为输出整流管是好的，因为它正向压下降，又没有反向康复时间，正确吗？虽然它的确正向压下降和没有反向康复时间，但肖特基二极管在阴极和阳极之间一般有较大的电容。随加在肖特基上电压改动对此电容必定存在充电和放电（当肖特基简直没有加电压时，电容大）。
开关电源之一般二极管的反相康来电流。
视电路不同，也或许其损耗比用一个超快康复整流管时损耗大得多。还应当留神此结电容，虽然电荷Q低，依然或许与电路中杂散电感引起振荡，在某些谐振规划中使用此特性做成软开关。所以与一般二极管相同有必要给肖特基加一个缓冲电路，这样增加了损耗。此外肖特基在高温和它的额定电压下有很大的漏电流。
开关电源之漏电流或许将正激变换器次级短路，这或许便是锗二极管漏电流太大而不用的原因。因为这个原因，为使反向电流不要太大，只能用到肖特基额定电压的 3/4，温度不跨越 110℃。高压肖特基与一般二极管正向压降附近。你就没有必要必定要用这样的器件。假定往后技术发展，高压肖特基二极管的确比双极型二极管正向压下降，则另当别论。
开关电源之二极管
规划一个 12V 输出，16A电流，能否用两个10A 定额的二极管并联？因为二极管正向压降的负温度系数特性和正向压降的离散性，作用一个电流较大的二极管，损耗加大而温度高，正向压降下降电流持续加大，正反馈，导致一个开关电源之二极管流过全部电流而烧坏，记住了吗？所以虽然能将二极管并联但应当留神热平衡（即确保它们之间小的热组）。假定用两个分立二极治实际上这样做不会很成功。要是两个开关电源之二极管做在一个芯片上，具有相同的热和电气特性。能够做到较好均衡。MOSFET 压降具有正温度特性，使得并联简略。
开关电源之二极管反向康复
开关电源之肖特基没有反向康复时间，而全部双极型二极管都有反向康复问题。它是在二极管正导游通电流IF关断时间，由于少量载流子存储效应不能当即消失，还能在短时间流过反方向（即由22阴极到阳极）电流，这个时间叫做反向康复时间。
在时间内反向电流上升到大值，在变压器的漏感和引线等寄生电感中存储能量，此后，二极管开始截止，迫使电路中电流削减，存储在电感中的能量开释，与相关电路分布电容构成振荡，发生严峻的振铃现象，这对变换器功率、电磁兼容构成极大影响。根据反向康复时间将二极管的分红不同等级（一般整流管、快康复，超快康复等等）。
开关电源之高频变换器在输出级峰值电压 50V以上总是选用超快康复二极管，50V以下选用肖特基二极管。输出电压低时选用同步整流MOSFET。同步整流的MOSFET的体二极管康复速度很慢，一般大约为 1μs。它不适宜作为整流管。这便是为什么一般用肖特基与同步整流MOSFET管并联：在MOSFET关断时肖特基流过简直全部电流，这意味着体二极管不需要反向康复。
