必了解的开关电源之元器件选择（五）

接着前面的说，首要来说开关电源的MOSFET和BJT方面，帮咱们能做出好的挑选吧。
开关电源之非志趣电压驱动源栅极电压波形但假定两个MOSFET并联，或许你仍用一个电阻，或许用它原本的一半。不，这样不可，即便有其他限流方法，如磁珠串联，仍有必要每个栅极一个电阻。
开关电源之原因是两个 MOSFET 有各自的栅极电荷和引线电感，构成一个欠阻尼振动网络，而观察到并联的 MOSFET有100MHz 振动！假定用一个数字示波器，并不留心此振动，你或许看不到它们，但它们引起损耗，当然也引起 EMI。开关电源之栅极电阻首要是用来阻尼栅极振动。为了防止振动，在栅极－源极之间并联一个 20V 稳压二极管，有人用40V驱动栅极，使栅极电容充电更快地通过敞开电压。
开关电源的箝位二极管击穿维护栅极电压不要跨越它的大值，这样耗费了更大功率。正确的方法是用低输出阻抗的源驱动栅极。要是功率 MOSFET 导通时间10ns的驱动好。
开关电源的功率 MOSFET 可以工作范围很广，低电压下几十瓦达 1MHz 以上；数千瓦可达数百 kHz。低电压器材导通电阻很小，随电压定额跋涉，导通电阻随电压添加指数添加。运用这一特性低电压用于同步整流，也可将低电压 MOSFET 串联在 BJT 发射极，运用 MOSFET 的开关速度，运用 BJT 的电压定额。U为MOSFET和BJT驱动开关电源。T为BJT的比例驱动电流互感器。开关电源PWM信号驱动MOSFET（Tr1）。当MOSFET导通时，导通压降很小，将BJT的发射极接地，驱动电源U通过限流电阻R迫使BJT初始导通，一旦BJT开始导通，设置在BJT集电极的电流互感器T在流过电流Ic，在次级正比感应电流经D1注入到BJT基极。
一般互感器变比 1/n《（1/β），例如n=1:10，而BJT的小β＝15。这样互感器注入到BJT的电流发作更大的集电极电流，然后更大的基极电流注入，如此正反馈直至BJT饱满导通。完结导通进程。假定先将开关电源之 MOSFET 关断，首要 BJT 的发射极电位跋涉构成 BE 结反偏，集电极电流削减，互感器电流削减，基极电流削减，一旦进入 BJT 放大区活络正反馈关断MOSFET 与 BJT 组合大电流低压MOSFET导通电阻十分小，开关速度快；而BJT关断时，承受电压是U（BR）CER。高压 MOSFET 也可与 IGBT 或 BJT 并联，驱动 MOSFET 先注册后关断。因为 MOSFET 承当了开关过渡时间，BJT 或 IGBT 零电压注册与关断；导通时，高压 MOSFET 比 IGBT 或 BJT 具有更高的压降，负载电流大部分流经 IGBT 或 BJT，只需很少部分通过 MOSFET，削减了导通损耗。尽管如此，BJT 或 IGBT 的开关时间仍是绑缚跋涉频率的首要要素。