再叙开关电源调试时常见的大问题
关于开关电源调试,是许多要求的,在调试的过程中难免会遇到这样那样的问题,小编就这些问题作了以下总结,会在后续的文章中逐一罗列出来。本文就先来说说以下开关电源在调试时会出现的大问题吧。
一、在开关电源调试时变压器出现丰满现象在高压或低压输入下开机(包含轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等情况下,经过变压器(和开关管)的电流呈非线性添加,当出现此现象时,电流的峰值无法预知及控制,或许导致电流过应力和因此而发作的开关管过压而损坏。
开关电源变压器丰满时的电流波形
简略发作丰满的情况:-变压器感量太大 -圈数太少-变压器的丰满电流点比IC的大限流点小-没有软建议
解决方法:-下降IC的限流点 -加强软建议,使经过变压器的电流包络更缓慢上升
二、在开关电源调试时Vds过高
Vds的应力要求:
恶劣条件(高输入电压,负载大,环境温度高,电源建议或短路查验)下,Vds的大值不该跨过额外标准的90%
Vds下降的方法-减小途径电压:-减小变压器原副边圈数比-减小尖峰电压:
a.减小漏感,开关电源变压器漏感在开关管注册是存储能量是发作这个尖峰电压的主要原因,减小漏感能够减小尖峰电压
b.调整吸收电路:运用TVS管 运用较慢速的二极管,其本身能够吸收必定的能量(尖峰)刺进阻尼电阻能够使得波形愈加滑润,利于减小EMI
三、在开关电源调试时IC 温度过高
开关电源IC温度过高的原因及解决方法
-内部的MOSFET损耗太大
开关损耗太大,变压器的寄生电容太大,构成MOSFET的注册、关断电流与Vds的交叉面积大。
解决方法是,添加变压器绕组的间隔,以减小层间电容,如同绕组分多层绕制时,层间参与一层绝缘胶带(层间绝缘) 。
-散热不良:IC的很大一部分热量依托引脚导到PCB及其上的铜箔,应尽量添加铜箔的面积并上更多的焊锡
-开关电源IC周围空气温度太高:IC应处于空气活动畅顺的地方,应远离零件温度太高的零件。
四、开关电源调试时空载、轻载不能建议现象:
空载、轻载不能建议,Vcc重复从建议电压和关断电压来回跳动。原因及解决方法:空载、轻载时,Vcc绕组的感应电压太低,而进入重复重建议情况。
解决方法:添加Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻,恰当加上假负载。假定添加Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻后,重载时Vcc变得太高,请参照安稳Vcc的方法。
五、开关电源调试时建议后不能加重载
或许的原因及解决方法:
1.Vcc在重载时过高
重载时,Vcc绕组感应电压较高,使Vcc过高并抵达IC的OVP点时,将触发IC的过压保护,引起无输出。假定电压进一步升高,跨过IC的承受能力,IC将会损坏。
2.内部限流被触发
-限流点太低:重载、容性负载时,假定限流点太低,流过MOSFET的电流被捆绑而短少,使得输出短少。解决方法是增大限流脚电阻,行进限流点。
-电流上升斜率太大:上升斜率太大,电流的峰值会更大,简略触发内部限流保护。解决方法是在不使变压器丰满的前提下行进感量。